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플랜지 종료

회로 끝에 플랜지 종단이 설치되어 회로에서 전송 된 신호를 흡수하고 신호 반사를 방지하여 회로 시스템의 전송 품질에 영향을 미칩니다. 플랜지 터미널은 플랜지 및 패치로 단일 리드 터미널 저항기를 용접하여 조립됩니다. 플랜지 크기는 일반적으로 설치 구멍과 터미널 저항 치수의 조합을 기반으로 설계됩니다. 고객의 사용 요구 사항에 따라 사용자 정의를 수행 할 수도 있습니다.


  • 정격 전력 :5-1500W
  • 기판 재료 :Beo 、 aln 、 al2o3
  • 공칭 저항 값 :50Ω
  • 저항 공차 :± 5%、 ± 2%± 1%
  • 온도 계수 :< 150ppm/℃
  • 작동 온도 :-55 15+150 ℃
  • 플랜지 코팅 :선택적 니켈 또는 은금
  • ROHS 표준 :준수합니다
  • 리드 길이 :l 데이터 시트에 지정된대로
  • 요청시 사용자 정의 디자인. :
  • 제품 세부 사항

    제품 태그

    플랜지 종료

    플랜지 종료
    주요 기술 사양 :

    정격 전력 : 5-1500W ;
    기판 재료 : Beo 、 aln 、 al2o3
    공칭 저항 값 : 50Ω
    저항성 내성 : ± 5%、 ± 2%、 ± 1%
    온도 계수 : icient 150ppm/℃
    작동 온도 : -55 ℃+150 ℃
    플랜지 코팅 : 옵션 니켈 또는 은금
    ROHS 표준 : 준수
    해당 표준 : Q/RFTYTR001-2022
    리드 길이 : l 데이터 시트에 지정된대로
    (고객 요구 사항에 따라 사용자 정의 할 수 있습니다)

    ZXCZXC1

    (W)
    빈도
    범위
    치수 (단위 : MM) 기판재료 구성 데이터 시트
    (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    5W 6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  그림 1   RFT50A-05TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  그림 1   RFT50A-05TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  그림 2   RFT50A-05TM0904 (R, L, I)
    10W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 베오 그림 2   RFT50-10TM7750 ((R, L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3  그림 1   RFT50A-10TM1304
    ALN 그림 1   RFT50N-10TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 Al2O3  그림 1   RFT50A-10TM1104
    ALN 그림 1   RFT50N-10TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 Al2O3 그림 2   RFT50A-10TM0904 (R, L, I)
      ALN 그림 2   RFT50N-10TJ0904 (R, L, I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 베오 그림 1   RFT50-10TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 베오 그림 1   RFT50-10TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 베오 그림 2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 베오 그림 2   RFT50-10TM7750
    20W 4GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 베오 그림 2   RFT50-20TM7750 ((R, L))
    6GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ALN 그림 1   RFT50N-20TJ1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 ALN 그림 1   RFT50N-20TJ1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 ALN 그림 2   RFT50N-20TJ0904 (R, L, I)
    8GHz 13.0 4.0 9.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 베오 그림 1   RFT50-20TM1304
    11.0 4.0 7.6 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.2 베오 그림 1   RFT50-20TM1104
    9.0 4.0 7.0 4.0 0.8 1.8 2.8 1.0 4.0 / 2.1 베오 그림 2   RFT50-10TM0904 (R, L, I)
    18GHz 7.7 5.0 5.1 2.5 1.5 2.5 3.5 1.0 3.0 / 3.1 베오 그림 2   RFT50-10TM7750
    30W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 ALN 그림 1   RFT50N-30TJ1606
    베오 그림 1   RFT50-30TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ALN 그림 1   RFT50N-30TJ2006
    베오 그림 1   RFT50-30TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ALN 그림 2   RFT50N-30TJ1306 (R, L, I)
    3.0 베오 그림 2   RFT50-30TM1306 (R, L, I)
    60W 6GHz 16.0 6.0 13.0 6.0 1.0 2.0 3.0 1.0 5.0 / 2.1 ALN 그림 1   RFT50N-60TJ1606
    3.2 베오 그림 1   RFT50-60TM1606
    20.0 6.0 14.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ALN 그림 1   RFT50N-60TJ2006
    3.2 베오 그림 1   RFT50-60TM2006
    13.0 6.0 10.0 6.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ALN 그림 2   RFT50N-60TJ1306 (R, L, I)
    3.2 베오 그림 2   RFT50-60TM1306 (R, L, I)
    法兰式终端 그림 3, 4,5

    (W)
    빈도
    범위
    치수 (단위 : mm) 기판
    재료
    구성 데이터 시트 (PDF)
    A B C D E H G W L J Φ
    100W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 베오 그림 1   RFT50-100TM2595
    4GHz 16.0 6.0 13.0 9.0 1.0 2.0 2.5 1.0 6.0 / 2.1 베오 그림 2   RFT50N-100TM1606
    20.0 6.0 14.0 9.0 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 베오 그림 1   RFT50N-100TJ2006
    24.8 6.0 18.4 6.0 2.8 3.8 4.6 1.0 5.0 / 3.2 베오 그림 1   RFT50-100TM2506
    16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 4   RFT50-100TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 1   RFT50-100TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-100TJ2510
    5GHz 13.0 6.35 10.0 6.35 1.5 2.5 3.2 1.0 5.0 / 3.2 베오 그림 2   RFT50-100TJ1363 (R, L, I)
    16.6 6.35 12.0 6.35 1.5 2.5 3.5 1.0 5.0 / 2.5 베오 그림 1   RFT50-100TM1663
    6GHz 16.0 6.0 13.0 8.9 1.0 2.0 2.5 1.0 5.0 / 2.1 ALN 그림 1   RFT50N-100TJ1606B
    20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 2.5 3.0 1.0 5.0 / 3.2 ALN 그림 1   RFT50N-100TJ2006B
    8GHz 20.0 6.0 14.0 8.9 1.5 3.0 3.5 1.0 5.0 / 3.2 ALN 그림 1   RFT50N-100TJ2006C
    150W 3GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 4   RFT50-150TM1610 (R, L, I)
    22.0 9.5 14.0 6.35 1.5 2.6 3.0 1.4 5.0 / 4.0 ain 그림 1   RFT50N-150TJ2295
    24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 베오 그림 1   RFT50-150TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-150TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 4   RFT50-150TJ1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 3   RFT50-150TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-150TJ2510
    200W 3GHz 24.8 9.5 18.4 9.5 2.9 4.8 5.5 1.4 6.0 / 3.1 베오 그림 1   RFT50-200TM2595
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-200TM2510
    4GHz 16.0 10.0 13.0 10.0 1.5 2.6 3.3 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 2   RFT50-200TM1610 (R, L, I)
    23.0 10.0 17.0 10.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 3   RFT50-200TJ2310
    24.8 10.0 18.4 10.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-150TJ2510
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 베오 그림 1   RFT50-200TM3213B
    250W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 3   RFT50-250TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-250TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 1   RFT50-250TM2710
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 베오 그림 1   RFT50-250TM3213B
    300W 3GHz 23.0 10.0 17.0 12.0 1.5 3.0 3.8 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 1   RFT50-300TM2310
    24.8 10.0 18.4 12.0 3.0 4.6 5.5 1.4 6.0 / 3.5 베오 그림 1   RFT50-300TM2510
    27.0 10.0 21.0 12.0 2.5 4.0 5.5 1.4 6.0 / 3.2 베오 그림 1   RFT50-300TM2710
    10GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 베오 그림 1   RFT50-300TM3213B
    400W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 베오 그림 1   RFT50-400TM3213
    500W 2GHz 32.0 12.7 22.0 12.7 3.0 5.0 6.0 2.4 6.0 / 4.0 베오 그림 1   RFT50-500TM3213
    800W 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 베오 그림 5   RFT50-800TM4826
    1000W 1GHz 48.0 26.0 40.0 26.0 3.0 6.2 6.9 6.0 7.0 12.7 4.2 베오 그림 5   RFT50-1000TM4826
    1500W 0.8GHz 50.0 78.0 40.0 26.0 5.0 8.2 9.0 6.0 7.0 15.0 4.2 베오 그림 5   RFT50-1500TM5078

    개요

    플랜지는 일반적으로 구리 도금 니켈 또는은 가공으로 만들어집니다. 저항성 기판은 일반적으로 전력 요구 사항 및 열 소산 조건에 따른 산화 베릴륨 산화 알루미늄 및 알루미늄 산화 알루미늄 인쇄로 이루어집니다.

    리드 종료와 같은 플랜지 종료는 주로 회로 끝으로 전송되는 신호파를 흡수하고 신호 반사가 회로에 영향을 미치는 것을 방지하며 회로 시스템의 전송 품질을 보장하는 데 사용됩니다.

    플랜지 종료는 플랜지의 플랜지 및 장착 구멍으로 인해 패치 저항기에 비해 쉽게 설치하는 특성을 갖습니다.


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